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产品介绍

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高纯度单晶硅镀膜电镜科研衬底晶圆N型P型

高纯度单晶硅镀膜电镜科研衬底晶圆N型P型



生长方法:直拉单晶              
抛光:单抛
晶体取向:<100>、<111>、<110>
电阻率:0.001-20000(Ω·cm)
工艺参数:平整度TIR<3μm、挠曲度TTV<10μm、弯曲度BOW<10μm、粗糙度<0.5nm、颗粒度<10(for size>0.3μm)
加工定制:客户如果需要不同参数的硅片,请联系客服
支付方式:大学、科研所可公对公转账、淘宝直接拍,微信转账、支付宝转账、货到付款、银行汇款等多种付款方式。



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生长方法:直拉单晶              
抛光:单抛
晶体取向:<100>、<111>、<110>
电阻率:0.001-20000(Ω·cm)
工艺参数:平整度TIR<3μm、挠曲度TTV<10μm、弯曲度BOW<10μm、粗糙度<0.5nm、颗粒度<10(for size>0.3μm)
加工定制:客户如果需要不同参数的硅片,请联系客服
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